江苏南大光电材料股份有限公司创建于2000年，2012年8月7日在深圳证券交易所创业板挂牌上市，是中国微电子材料的领军企业。目前拥有全资及控股公司6家，在江苏苏州、浙江宁波、安徽全椒、山东淄博设立研发生产基地，在北美设立营销技术服务分公司，产品广泛应用于制备ic、lcd、led、oled、功率器件、相变存储器、半导体激光器等领域。
公司拥有国家级研发中心、国家级博士后科研工作站、江苏省工程技术研究中心、江苏省外国专家工作室等企业自主创新平台，全面推进自主创新能力建设，先后承担攻克了国家863计划mo源全系列产品、国家“02—专项”高纯电子气体（砷烷、磷烷）、ald/cvd前驱体、193nm光刻胶及配套材料研发与产业化等多个国家重大科技攻关项目，获得国家发明专利13项，实用新型专利30项，主导国家标准制定4项，逐步形成mo源、电子特气、光刻胶及配套材料三大核心业务板块。
自主可控是未来科技发展最重要的因素之一，而拥有自主知识产权是实现可控的条件之一。智慧芽专利数据库帮助规避侵权风险、保护研发成果，使我们迈向国际的道路更通畅。
——江苏南大光电材料股份有限公司技术总监 杨敏
一、“国家863计划”中走出来的佼佼者
33年前，一个面向21世纪的中国战略性高科技发展计划正式公之于世，它就是开启新中国科技腾飞历程的“863计划”。今天，“863计划”不仅使中国的生物、航天、自动化、能源、新材料等技术领域在国际上占有一席之地，而且在一些领域可以与世界技术前沿直接对话。这其中就有mo源技术的身影。
mo源是现代化合物半导体产业的支撑原材料，在实现科学技术现代化、国防现代化和发展国民经济方面都扮演着重要角色。它不仅应用于led领域，同时也支持着第三代半导体、集成电路、新一代太阳能电池、相变存储器、半导体激光器、射频芯片等产业的发展。目前，我国的mo源产品在合成、纯化、分析、封装等技术上均已处于国际先进水平。
如果非要给我国的mo源技术找一个代言人，那么非南大光电莫属——南大光电是以南京大学国家863计划研究成果作为共赢共欢乐房产的技术支持、共同创建的中国高纯金属有机化合物（mo源）的产业化基地，是国内拥有自主知识产权并实现了mo源全系列产品产业化生产的龙头企业，亦是全球头部mo源制造商之一，产品远销欧美及亚太地区，目前已经占据了mo源全球最大的市场份额，无论是国内还是国际，南大光电在mo源领域都是“巨无霸”式的存在。
二、“国家02专项”重大技术攻坚者
电子特气是集成电路、平面显示器件、化合物半导体器件、led、太阳能电池、光纤等电子工业生产中不可缺少的基础和支撑性材料，被广泛应用于薄膜、刻蚀、掺杂、气相沉积、扩散等工艺。中国电子气体的发展对我国半导体芯片产业的发展起着至关重要的作用，也直接关系到国民经济发展和国家战略安全。
2013年1月，公司承担国家“02专项”高纯特种电子气体研发与产业化项目。经过3年高强度的技术开发，成功实现了国内30年未能解决的高纯砷烷、磷烷等特种电子气体的研发和产业化难题，一举打破了国外技术封锁和垄断，为我国极大规模集成电路制造、民族工业振兴提供了核心电子原材料。
2016年，凭借着多年的技术积累和产业化经验，公司再次承担ald前驱体的研发和产业化项目，用三年不到的时间便攻克了关键技术并达到了产业化水平，能够生产出最高纯度可达99.9999999%级的产品，并拥有先进的分析仪器和成熟的高纯产品分析能力，申请了6项发明专利（授理中），产品已达到世界先进水平，部分产品已经在中芯国际完成验证，可以实现批量供货，满足了20-14nm芯片产品的制造要求，可完全替代进口。
2019年，南大光电收购了山东飞源气体有限公司，在高纯电子气体家族中增添了两个新成员nf3、sf6，收购后南大光电将整合双方的客户资源，输出技术及管理，实现电子特气领域整合发展，全面打开 led、 lcd、 ic 行业的市场空间。
2017年，南大光电又拿下了“193nm 光刻胶研发和产业化项目”。 先进光刻胶产品（arf干式光刻胶、arf浸没式光刻胶），应用的分辨率范围为90nm-14nm，是当前高端芯片制造的主要原材料。由于其技术门槛高，核心技术缺失，且保质期只有6个月，中国市场一直被日本和美国的光刻胶企业垄断，并在全球范围内完成了arf光刻胶的专利布局，建立了牢不可破的专利壁垒。因此，光刻胶的大规模国产化对保障我国集成电路工业的健康发展具有十分重要的意义。
2018年1月，南大光电与宁波经济技术开发区管理委员会签订投资协议书，南大光电拟在宁波开发区投资建设高端集成电路制造用193nm光刻胶材料以及配套关键材料研发及生产项目，该项目是国内首次建立的arf光刻胶产品大规模生产线，将形成年产25吨arf(干式和浸没式)光刻胶产品的生产能力，项目总用地面积约86亩，其中一期总投资预计约9.6亿元，达产后年产值约3.75亿元。同时，南大光电还将建立国内第一个专业用于arf光刻胶产品开发的检测评估平台。预计通过3年的建设、投产及实现销售，到2020年将达到年产25吨193nm arf光刻胶产品的生产规模，完成研发及产业化阶段工作。
三、一路披荆斩棘，自主知识产权是“护身符”
• 三十年如一日，推陈出新谋求技术突破和发展
无论是mo源、高纯电子特气，还是光刻胶，南大光电始终注重自主知识产权的创新及保护，在产品研发、工艺设计、包装容器等方面都投入了大量的研发力量。三十多年来，南大光电以艰苦奋斗的作风、实业报国的理想，持续不断地创新研发，一路披荆斩棘，取得了显著的成就，填补了一个又一个国内空白。现今，南大光电能够为客户提供高品质的全系列mo源产品、氢类和氟类多钟特气、混气和安全源产品，以及即将产业化的高端光刻胶产品及配套材料。
• 智慧芽助力南大光电技术研发及研发成果保护
近几年，市场上出现了各种各样的竞争对手，产品同质化现象严重。因此要想顺利进入国际市场，在研发之初就需要充分做好侵权风险分析，制定产品策略方向，并在产品获批上市后利用知识产权武器，保护自己的技术研发成果，不被侵权。
“在mo源技术的研究探索过程中，我们通过智慧芽全球专利数据库帮助加快专利检索效率，只需简单的几个步骤，就能快速获得想要的行业和竞争对手专利信息；同时，智慧芽工作空间功能还能帮助研发和知识产权部门之间实现信息协同，只需要将关注的行业技术信息和竞争对手信息归类建文件夹，一旦有新的动态、有价值的信息，我们就能得到提醒，然后第一时间与团队成员共享，并作出应对措施。” 南大光电研发总监杨敏介绍道。
目前在知识产权方面，南大光电共获得专利40余项，其中发明专利13项，实用新型专利30项。
三、成为国际一流的综合性先进电子材料供应商
千里之行，始于足下。已经成为国内电子材料龙头企业的南大光电并没有停下脚步。2018年，南大光电利用自身技术、资金等优势，在全椒布局实施“年产170吨mo源和高k三甲基铝生产项目”，项目建设成后公司将有力扭转mo源处于恶性竞争和主要局限于led行业的局面，可以为半导体客户提供超纯的高k三甲基铝，满足客户对超纯高k三甲基铝的需求，并成功切入光伏和ic产业。
我们有理由相信，在不远的将来，南大光电将成为一家国际一流的综合性先进电子材料供应商，为半导体照明及第三代半导体产业发展做出贡献。
